[发明专利]在集成电路中使用的电极结构无效
| 申请号： | 02827286.2 | 申请日： | 2002-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1615544A | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | J·T·穆尔;J·F·布洛克斯 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电极结构(200A)，包括导电材料的第一层(202)和在第一层的表面上形成的电介质层(204)。在电介质层中形成开口(206)，以便暴露第一层表面的一部分。在电介质层上并在第一层表面的暴露部分上形成接合层(210)，并在导电接合层上形成导电材料的第二层(212)。接合层可以是氧化物，并且第二层是可扩散进入氧化物的导电材料。退火电极结构，以便使导电材料从第二层被化学吸附进入接合层，以改善第一层和第二层之间的粘接性。通过在电极结构中形成掺杂的玻璃层(214)来形成可编程单元。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 使用 电极 结构 | ||
【主权项】：
1、一种电极结构，包括：导电材料的第一层；在第一层的表面上形成的电介质层；在电介质层中形成的开口，以便暴露第一层表面的一部分；在电介质层上并在第一层表面的暴露部分上形成的接合层；以及在导电接合层上形成的导电材料的第二层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
