[发明专利]电阻存储器件及其操作和形成方法及包含它的计算机系统无效
| 申请号： | 02827370.2 | 申请日： | 2002-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN100483549C | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | G·哈斯;J·巴克 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;王忠忠 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种方法和设备，用于使用互补PCRAM元件来感测可编程导体随机存取存储器(PCRAM)的阻态，一个保持被感测的阻态和另一个保持互补阻态。感测放大器通过高和低电阻元件来检测电压释放，以确定被读取元件的阻态。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储 器件 及其 操作 形成 方法 包含 计算机系统 | ||
【主权项】：
1. 一种操作可编程导体存储器件的方法，包括：在第一和第二可编程导体存储元件中存储二进制值为相应的阻态，其中存储在第一可编程导体存储元件中的阻态与同时存储在第二可编程导体存储元件中的阻态互补；通过经所述存储元件释放相应的电压并比较释放电压，确定存储在所述可编程导体存储元件之一中的二进制值；以及重写仅在存储了低阻态的所述第一和第二可编程导体存储元件其中之一中存储的二进制值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微米技术有限公司，未经微米技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02827370.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：喷嘴清洗装置及基板处理装置
- 下一篇：新的生理活性物质
