[发明专利]气体分配喷头无效
申请号: | 02827497.0 | 申请日: | 2002-11-27 |
公开(公告)号: | CN1659308A | 公开(公告)日: | 2005-08-24 |
发明(设计)人: | K·亚纳基拉曼;N·K·英格尔;Z·袁;S·E·贾诺拉基斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于半导体制造工艺的气体分配喷头,其具有面板(316),该面板具有细长狭缝或通道形式的气体出口(318B)。按照本发明的实施例,细长气体出口的使用显著减少沉积材料的不期望的斑点形成(spotting)和条纹形成(streaking),其中喷头和晶片近距离间隔开。也公开了具有面板的喷头,而面板具有锥形轮廓,以减小在面板到晶片近间距下沉积材料的边缘厚度。 | ||
搜索关键词: | 气体 分配 喷头 | ||
【主权项】:
1.一种用于在半导体晶片上形成材料的装置,该装置包括:由腔壁形成的处理腔室;定位在所述处理腔室内的晶片支撑件,构造所述晶片支撑件以接收半导体晶片;处理气体源;和气体分配喷头,其在所述晶片支撑件上方并且与所述晶片支撑件分开,所述气体分配喷头包括具有入口部分的面板,该入口部分包括孔,其与所述面板的出口部分的细长狭缝进行流体传输。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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