[发明专利]成型纳米结晶颗粒及其制备方法有效
| 申请号： | 02827534.9 | 申请日： | 2002-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1802734A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | A·P·阿里维沙托斯;E·C·西尔;L·曼纳 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 介绍了成型纳米结晶颗粒(10)和制备成型纳米结晶颗粒(10)的方法。一种实施方式包括形成分支纳米结晶颗粒(10)的方法。它包括(a)在溶液中形成具有第一晶体结构的核心(12)，(b)在溶液中从具有第二晶体结构的核心延伸生长出第一臂(14a)，(c)在溶液中从具有第二晶体结构的核心延伸生长出第二臂(14b)。 | ||
| 搜索关键词： | 成型 纳米 结晶 颗粒 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.形成纳米结晶颗粒的方法，该方法包括：(a)在溶液中形成具有第一晶体结构的核心；(b)在溶液中从核心延伸生长出具有第二晶体结构的臂，其中，纳米结晶颗粒包含第IV族半导体、第III-V族半导体、金属、介电材料或第II-VI族半导体，第II-VI族半导体包括至少一个第II族元素和至少一个选自O、S、Te和Po的第VI族元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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