[发明专利]真空断路器触头中的非线性磁场分布无效
| 申请号： | 02827621.3 | 申请日： | 2002-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1618111A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 米特克·T·格林科斯基 | 申请（专利权）人： | ABB技术公开股份有限公司 |
| 主分类号： | H01H33/66 | 分类号： | H01H33/66 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷惠敏 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 公布和描述了新型的断路器组件(100)设计，其利用了饱和磁性材料(101、102)。在本发明的某些实施例中将饱和磁性材料(101、102)放置在断路器触头主体和/或电极(104)中。断路器组件(100)中包含的饱和磁性材料(101、102)导致了断路器触头组件(104)中的磁通量再分布，其适于时间中任意时刻上组件中经历的电流条件。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 断路器 中的 非线性 磁场 分布 | ||
【主权项】：
1.一种断路器组件，包括具有中心和外部边缘的触头，该触头包括电导材料和磁性材料的组合，该磁性材料安置于触头中，以便在相对低的电流条件下在触头中产生的轴向磁场具有从触头中心到触头外部边缘的基本恒定的强度。
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