[发明专利]GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法有效
| 申请号： | 02827682.5 | 申请日： | 2002-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1618122A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 马提亚斯·帕斯莱克;小尼古拉斯·威廉·梅登多普 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种化合物半导体结构，包括位于支撑半导体结构(7)上的镓氧化物的第一层(8)，从而与之形成界面。在第一层上设置Ga－Gd氧化物的第二层(9)。GaAs基支撑半导体结构可以是GaAs基异质结构，如至少部分完成的半导体器件(例如金属氧化物场效应晶体管(430)、异质结双极晶体管(310)或半导体激光器)。按照这样的方式，由于介电结构由紧接着Ga－Gd氧化物层的Ga2O3层形成，提供了同时在氧化物－GaAs界面具有低缺陷密度和具有低氧化物漏电流密度的介电层结构。Ga2O3层用于形成与GaAs基支撑半导体结构的高质量界面，同时Ga－Gd氧化物提供低氧化物漏电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 半导体 结构 氧化 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体结构，包括：GaAs基支撑半导体结构；镓氧化物第一层，位于支撑半导体结构的表面上从而与之形成界面；以及Ga-Gd氧化物第二层，设置在第一层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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