[发明专利]半密度嵌入ROM的DRAM无效
| 申请号： | 02828006.7 | 申请日： | 2002-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1618105A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | S·德尔纳;C·库尔斯;P·G·沃尔德 | 申请（专利权）人： | 微米技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00;G11C11/404;G11C17/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一半密度嵌入ROM的DRAM使用硬编程的非易失性单元和未编程的动态单元。通过将一对单元中的第一或第二存储器单元硬编程，存储不同的数据状态。两条字线被用于访问存储器单元对。因为一个单元被硬编程，读出放大器电路识别合适的数据状态。可以以大量不同的方式将ROM单元编程。例如，可以通过消除单元电介质以便将单元板短路到编程电压，或者可以将电插头制造于单元板之间并被短路到编程电压，来硬编程ROM单元。在其它实施例中，可以使用抗熔丝编程技术或者通过提供诸如通过活动区域到基板的高泄漏路径(非完全短路)将ROM单元编程。 | ||
| 搜索关键词： | 密度 嵌入 rom dram | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其特征在于，包括：只读存储器(ROM)单元，它被硬编程到第一数据状态；动态存储器单元；以及存取电路，它将ROM单元和动态存储器单元耦合到差分数位线。
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