[发明专利]应用负微分电阻场效应晶体管的存储单元

摘要

本发明公开了一种既使用负微分电阻(NDR)又使用传统FET的存储单元。一对NDR FET以锁存配置连接在一起，以便将传送FET所传送的数据值存储到存储节点。采用NDR特性，可以利用更少的有源器件实现存储单元。此外，利用传统MOS处理步骤，可以制造NDR FET，因此与传统NDR技术相比，可以将工艺集成问题减到最少。

主权项

1.一种存储单元，该存储单元包括：传输场效应晶体管(FET)，所述传输场效应晶体管(FET)被配置成响应分别提供给存储单元的写和/或读信号，接收和/或传输从数据线到存储节点的数据值；第一负微分电阻(NDR)FET，所述第一NDR FET被配置成接收第一栅极偏置信号，而且其第一NDR FET源极端连接到所述存储节点，而其第一NDR FET漏极端连接到在第一节点的第一电压电位；以及第二负微分电阻(NDR)FET，所述第二NDR FET被配置成接收第二栅极偏置信号，而且其第二NDR FET漏极端连接到所述存储节点，而其第二NDR FET漏极端连接到在第二节点的第二电压电位；而且其中存储单元利用所述第一NDR FET和所述第二NDR FET的所述负微分电阻特性将所述数据值存储到所述存储节点。