[发明专利]化合物半导体单晶的制备方法有效
| 申请号： | 02828062.8 | 申请日： | 2002-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1701042A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 朝日聪明;佐藤贤次;荒川笃俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | C03B15/12 | 分类号： | C03B15/12;C30B29/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 按照液封直拉法制备化合物半导体单晶的方法：在由带底圆筒形的第1坩埚和设置于该第1坩埚的内侧、在底部设有与上述第1坩埚的连通孔的第2坩埚构成的原料熔融液盛装部分中盛装半导体原料和密封剂，加热上述原料盛装部分使原料熔融，在被上述密封剂覆盖的状态下使籽晶与该原料熔融液表面接触，一边提拉该籽晶，一边使晶体生长，在该方法中，控制加热器的温度，使生长晶体的直径与上述第2坩埚的内径大致相同，一边保持生长晶体的表面被上述密封剂覆盖的状态一边使晶体生长，直到晶体生长结束。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.化合物半导体单晶的制备方法，该方法是通过液封直拉法制备化合物半导体单晶的方法：在由带底圆筒形第1坩埚和设置于该第1坩埚的内侧、在底部设有与上述第1坩埚的连通孔的第2坩埚构成的原料熔融液盛装部分中盛装半导体原料和密封剂，加热上述原料盛装部分使原料熔融，在被上述密封剂覆盖的状态下使籽晶与该原料熔融液表面接触，一边提拉该籽晶，一边使晶体生长，其特征在于：控制加热器的温度，使生长晶体的直径与上述第2坩埚的内径大致相同，一边保持生长晶体的表面被上述密封剂覆盖的状态一边使晶体生长，直到晶体生长结束。
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