[发明专利]磁记录介质和磁存储装置无效
| 申请号： | 02828087.3 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1620687A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·阿扬 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 磁记录介质和磁存储装置。一种磁记录介质，其包括：基础结构；以及合成亚铁磁结构，设置在所述基础结构上，并且形成一记录层。该合成亚铁磁结构至少包括一底部磁层和一顶部磁层，该底部磁层和顶部磁层通过一非磁性间隔层反铁磁地耦合。该底部磁层由超顺磁层制成，而该顶部磁层由铁磁材料制成。在外部施加的磁场为零的剩磁状态下，所述底部磁层和所述顶部磁层的磁矩方向为反向平行。其实现是因为尽管矫顽力对于底部磁层为零，但是由于在剩磁状态下的交换耦合而导致底部磁层处于反饱和状态。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，其包括：基础结构；以及合成亚铁磁结构，设置在所述基础结构上，并且形成一记录层，所述合成亚铁磁结构至少包括一底部磁层和一顶部磁层，该底部磁层和顶部磁层通过一非磁性间隔层反铁磁地耦合，其中所述底部磁层由超顺磁层制成，而所述顶部磁层由铁磁性材料制成，并且在外部施加的磁场为零的剩磁状态下，所述底部磁层和所述顶部磁层的磁矩方向为反向平行。
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