[发明专利]半导体处理装置用电加热器有效
| 申请号： | 02828140.3 | 申请日： | 2002-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1620714A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 上森进;蓝谷隆 | 申请（专利权）人： | 光洋热系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 韩登营 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体处理装置用电加热器，其由多个区域构成，这些区域中的被放置高载荷的至少1个区域(例如：底区)的发热体为由二硅化钼制成的非金属电阻发热体，其余区域(例如：中间区和顶区)的发热体为由构成细直径过弯曲形状的金属电阻发热体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 装置 用电 加热器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体处理装置用电加热器，是由多个区域构成的筒状的半导体处理装置用电加热器，其特征为，多个区域中的被放置高载荷的至少1个区域的发热体是非金属电阻发热体，其余区域的发热体是金属电阻发热体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
