[发明专利]减小粘附体之间的伸长失配的芯片接合工艺以及由此制造的半导体封装无效
| 申请号： | 02828168.3 | 申请日： | 2002-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1620843A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | B·钱德兰;C·贡扎莱兹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H05K3/30 | 分类号： | H05K3/30;H05K3/34;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种减小粘附体之间伸长失配的芯片接合工艺涉及使热膨胀系数失配的半导体芯片和衬底在沿待通过焊接来接合的表面的方向上从它们的室温状态基本上等量地热膨胀。然后将热膨胀的半导体芯片和衬底焊接在一起，形成多个焊接接点，然后冷却到室温。所述过程可使焊接产生的伸长失配减小到小于根据在焊接后将衬底和半导体芯片从焊料固化温度冷却到室温所预期的伸长的一半，从而减小了焊接后的残余应力、焊接接点中的残余塑性变形、衬底中的残余塑性变形以及半导体芯片的翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 粘附 之间 伸长 失配 芯片 接合 工艺 以及 由此 制造 半导体 封装 | ||
【主权项】：
1.一种将热膨胀系数失配的半导体芯片和衬底相互焊接的方法，所述方法包括：使所述半导体芯片和所述衬底在沿待焊接的表面的方向上基本上等量地热膨胀；以及将所述热膨胀后的半导体芯片和衬底相互焊接在一起。
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