[发明专利]在半导体装置的不同含硅区域形成不同硅化物部分的方法

摘要

一种方法，其中不同的金属层依序沉积在含硅区域上，以便该金属层的类型及厚度可以适合于该下层含硅区域的特定的特性，接着，执行热处理以转换该金属成为金属硅化物，以便改善该含硅区域的电性传导性。在此方式中，硅化物部分可以形成为个别地适合特定的含硅区域，以便个别的半导体组件的装置效能或多个半导体组件的整体的效能可以显著地改善。再者，所揭露的半导体装置包括具有不同的硅化物部分在其中形成的至少两个含硅区域，其中至少一个硅化物部分包括贵重金属。

主权项

1.一种用于制造半导体装置的方法，系包括：提供其上形成有第一含硅区域及第二含硅区域的基板；选择性地形成第一金属层于该第一含硅区域上；选择性地形成第二金属层于该第二含硅区域上；以及热处理该基板以转换至少部分该第一金属层成为第一金属硅化物及至少部分该第二金属层成为第二金属硅化物，其中该第一及第二金属硅化物部分在组成及厚度的至少一者上是彼此不同的。