[发明专利]晶体的制造方法无效
| 申请号： | 02828388.0 | 申请日： | 2002-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1623220A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木伸一;中村正志;佐藤贤次 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;C23C16/34;C30B29/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹雯;刘冬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在基板上生长晶体(例如GaN类化合物半导体晶体)的方法，至少包含：形成第1晶体层(GaN类缓冲层)的工序；形成第2晶体层(GaN类中间层)的工序；以及形成第3晶体层(GaN类厚膜层)的工序，上述3个工序在不同的条件下分别生长晶体层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体的制造方法，是在基板上生长晶体的方法，其特征在于，至少包含：形成第1晶体层的工序；形成第2晶体层的工序；以及形成第3晶体层的工序；上述3个工序在不同的条件下分别生长晶体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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