[发明专利]形成于多厚度埋入氧化层上的半导体装置以及制造此半导体装置的方法有效
| 申请号： | 02828661.8 | 申请日： | 2002-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1623226A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | M·B·富塞里尔;D·J·瑞思特斯;A·C·魏 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/335;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在一多厚度埋入氧化物层20上形成的一种半导体装置及其数种制造方法。在一实施例中，该装置包含一块基底12、在该块基底12之上形成的一多厚度埋入氧化物层20、以及在该多厚度埋入氧化物层20之上形成的一主动层21，系在该多厚度埋入氧化物层20之上的该主动层21中形成该半导体装置。在某些实施例中，该多厚度埋入氧化物层20包含位于两个第二部分间的第一部分20B，该第一部分20B的厚度小于该等第二部分20A的厚度。在一实施例中，该方法包含下列步骤：在一硅基底40上执行第一氧离子植入过程42；在该基底之上形成一掩模层44；穿过该掩模层44而在该基底40上执行第二氧离子植入过程46；以及在该基底40上执行至少一次加热过程，以便在该基底40中形成一多厚度埋入氧化物层20。在另一实施例中，该方法包含下列步骤：在一硅基底40上执行第一氧离子植入过程46；在该基底40之上形成一掩模层44；穿过该掩模层44而在该基底40上执行第二氧离子植入过程42；以及在该基底上执行至少一次加热过程，以便在该基底40中形成一多厚度埋入氧化物层20。在又一实施例中，该方法包含下列步骤：使用晶片接合技术形成一多厚度埋入氧化物层20。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 厚度 埋入 氧化 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：一块基底12；在该块基底12的上形成的一多厚度埋入氧化物层20；以及在该多厚度埋入氧化物层20之上形成的一主动层，12系在该多厚度埋入氧化物层20之上的该主动层12中形成该半导体装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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