[发明专利]多晶结构膜及其制造方法无效
| 申请号： | 02829153.0 | 申请日： | 2002-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1628342A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 向井良一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/65;G11B5/738;G11B5/851;G11B5/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 磁性晶粒(32)位于晶体层(35、41)的表面上间隔开的位置。用第一隔离层(33)覆盖磁性晶粒(32)。晶体层(35、41)用来沿预定方向取向磁性晶粒(36、38)。在晶体层(35)与磁性晶粒(32)以及在晶体层(41)与磁性晶粒(36)之间分别插入非晶材料层(34、39)。非晶材料层(34、39)用来充分抑制磁性晶粒(32、36)与晶体层(35、41)之间的相互作用。磁性晶粒(32、36)的取向可靠地保持在预定的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶结构膜，包括：在基层表面上彼此间隔开的磁性晶粒；覆盖在磁性晶粒上的非晶材料；覆盖在磁性晶粒和基层上的非晶材料上的取向控制层，所述取向控制层由沿预定方向取向的非磁性晶体制成；以及在取向控制层的表面上彼此间隔开的磁性晶粒，所述磁性晶粒沿预定方向取向。
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