[发明专利]薄膜晶体管阵列面板有效
申请号: | 02829409.2 | 申请日: | 2002-09-18 |
公开(公告)号: | CN1647282A | 公开(公告)日: | 2005-07-27 |
发明(设计)人: | 金相洙;金东奎 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李伟;彭焱 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种栅极布线和沿横向延伸的存储电极布线,并且沿纵向延伸的数据布线与栅极布线和存储布线交叉。将多个像素电极和多个薄膜晶体管设置在由数据布线和栅极布线的交叉限定的像素区域上。存储电极布线通过设置在像素区域上的多个存储电极连接器相互连接。这样,可省略设置在栅极衬垫和显示区域之间的共同条或缩小宽度。因此,扇出区域变成具有足够的尺寸,从而减小信号线之间的电阻差。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列面板,包括:绝缘基片;栅极布线,形成在所述绝缘基片上且包括多条栅极线、多个栅极、及与所述栅极线的一端连接的多个栅极衬垫;存储电极布线,形成在所述绝缘基片上且包括多条存储电极线及多个存储电极;栅极绝缘层,形成在所述栅极布线和所述存储电极布线上;半导体层,形成在所述栅极绝缘层上;数据布线,形成在所述栅极绝缘层上且包括与所述栅极线绝缘且交叉的多条数据线、部分地接触所述半导体层的多个源极、面对所述源极且与所述半导体层部分接触的多个漏极、及与所述数据线的一端连接的多个数据衬垫;钝化层,形成在所述数据布线上;多个像素电极,形成在所述钝化层上且与所述漏极电连接;以及多个存储电极连接器,形成在所述钝化层上且连接位于所述栅极线两侧的所述存储电极线和所述存储电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02829409.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类