[发明专利]通过表面改进提高半导体器件的温度/湿度/偏压性能的方法和结构有效
| 申请号： | 02829809.8 | 申请日： | 2002-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1695242A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 约翰·A·菲茨西蒙斯;斯蒂芬·M·盖茨;迈克尔·W·莱恩;埃里克·G·利尼格 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/053;H01L21/44;H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种修复半导体芯片如高速半导体微处理器、专用集成电路(ASIC)、及其他高速集成电路器件上的引线键合损伤的方法，特别使用低k电介质材料的器件。该方法包括使用反应液体的表面改进。在优选实施例中，该方法包括将含硅液体试剂前体如TEOS涂敷到芯片的表面，并允许液体试剂与湿气反应以形成固体电介质栓塞或薄膜(50)，以产生阻止湿气进入的阻挡层，由此提高这种半导体器件的温度/湿度/偏压(THB)性能。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 表面 改进 提高 半导体器件 温度 湿度 偏压 性能 方法 结构 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路芯片，包括：在所述集成电路芯片的顶表面处的第一电介质材料(35)；连接到所述集成电路芯片的顶表面的电连接(20)；以及在所述集成电路芯片的顶表面顶上的第二电介质材料(50)层，其中所述第二电介质材料是含硅的保形密封剂。
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