[发明专利]磁光存储介质的再现方法和使用该方法的磁光存储装置无效
| 申请号： | 02829894.2 | 申请日： | 2002-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1695189A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 难波义幸 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B11/105 | 分类号： | G11B11/105 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种磁光存储介质的再现方法和使用该方法的磁光存储装置。该磁光存储装置能够使用设有记录层和再现层的磁光存储介质。在该磁光存储介质中，记录层中的信息通过按用于再现的给定强度照射光并通过施加再现磁场被转移到再现层。包含在其给定区域中的信息能够得到再现。该磁光存储装置包括：光头，至少按用于再现的给定强度向所述给定区域照射光；永磁体，向所述给定区域至少施加再现磁场；以及控制单元，控制光头和永磁体以再现信息，计算与该再现相关联的再现差错率，并且基于再现差错率改变再现磁场的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 介质 再现 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
1、一种磁光存储装置，能够使用设有记录层和再现层的磁光存储介质，在该磁光存储介质中，记录层中的信息通过按用于再现的给定强度照射光并通过施加再现磁场被转移到再现层，并且包含在其给定区域中的信息能够得到再现，该磁光存储装置包括：光头，至少按用于再现的给定强度向所述给定区域照射光；永磁体，向所述给定区域至少施加再现磁场；以及控制单元，控制光头和永磁体以再现信息，计算与该再现相关联的再现差错率，并且基于再现差错率改变再现磁场的强度。
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