[发明专利]横向LUBISTOR结构和方法有效
| 申请号： | 02829978.7 | 申请日： | 2002-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1695245A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杰克·曼德尔曼;史蒂文·H·沃尔德曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L27/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种基于FINFET技术的ESD LUBISTOR结构使用垂直鳍(50)(包含器件的源极、漏极和本体的薄垂直构件)，可选的具有和不具有栅极(60)。栅极(60)可以连接于被保护的外部电极(51)来制作自激励器件且可以连接于参考电压(92)。该器件可以用在数字或模拟电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 lubistor 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于衬底(10)的集成电路中的结构，包括：延长的垂直构件(50)，包括半导体，从所述衬底(10)凸出，且具有顶部(51)和两个相对的延长的边(48、49)，其中第一电极(52)形成于所述垂直构件的第一端中且具有与所述第一电极相对的极性的第二电极(54)形成于所述垂直构件的第二端，所述第二端相对所述第一端，所述第一和所述第二电极(52、54)以电极浓度掺杂，所述电极浓度大于所述第一和第二电极之间的中心部分(53)中的掺杂剂浓度。
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