[发明专利]集成电路和测量方法以及测量结构的制备无效
| 申请号： | 02830009.2 | 申请日： | 2002-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1708842A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | G·W·小班克;A·迪林;P·V·卡祖巴;L·莫什科维奇;J·罗伯特;J·A·斯林克曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/58;G01M19/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于测量集成电路(IC)结构(12)的方法，该方法通过测量该结构的印记(30)实现，一种用于制备用于上述测量的测试位置(26)的方法，以及由此形成的IC(10)。用于制备测试位置的方法包括从衬底上逐渐除去结构以暴露衬底的顶表面(32)中的结构的除去的底表面的印记(30)。然后可以使用原子力显微镜(AFM)(40)成像印记。图像(50)可以用于测量结构的底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 测量方法 以及 测量 结构 制备 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量设置在衬底(16)上的集成电路结构(12)的底表面(34)的方法，包括以下步骤：(a)从所述衬底上除去所述结构，以在所述衬底的顶表面(32)中暴露印记(30)，其中所述印记是所述结构的除去的底表面(34)；以及(b)获得所述印记的图像(50)，以测量所述结构的除去的底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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