[发明专利]形成结构、隔离层和相关FINFET的方法有效
| 申请号： | 02830043.2 | 申请日： | 2002-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1714441A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | D·M·弗里德;E·J·诺瓦克;B·雷尼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一些方法，用于形成用于第一结构(24、124)如FinFET的栅极结构的隔离层(44)，并在第二结构(14)如鳍片的至多一部分上形成隔离层而不会有害地改变第二结构。该方法产生具有悬垂于导电下部分(32、132)之上的顶部分(30、130)的第一结构(24)，和悬垂物(40、140)之下的隔离层(44)。可以在隔离层工艺之后除去悬垂物(40、140)。对于FinFET，悬垂物保护鳍片(14)的部分如邻近并在栅极结构(24、124)之下的区域，并允许将鳍片(14)的侧壁暴露于如选择性硅生长和注入的其它工艺。结果，该方法提供鳍片(14)的按尺寸制造和栅极结构(24、124)和隔离层的形成而在隔离层工艺期间不会有害地改变(例如，侵蚀或在其上形成隔离层)鳍片(14)。同样公开了包括栅极结构(24、124)和隔离层(44)的FinFET(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 结构 隔离 相关 finfet 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成用于第一结构(24、124)的隔离层(44)并在第二结构(14)的至多一部分上形成隔离层的方法，该方法包括以下步骤：淀积第一材料(20)；在所述第一材料上形成第二材料(22、122)；利用所述第一和第二材料形成所述第一结构；使所述第二材料悬垂(40，140)于所述第一材料之上；以及在所述悬垂物之下形成隔离层(44)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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