[发明专利]碳-碳双键的氧化方法和氧化化合物的制造方法有效
申请号: | 02830103.X | 申请日: | 2002-12-24 |
公开(公告)号: | CN1717398A | 公开(公告)日: | 2006-01-04 |
发明(设计)人: | 小口亘;西诚;户次幸治 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | C07D301/12 | 分类号: | C07D301/12;C07D301/19;C07D303/04 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供控制具有碳-碳双键的化合物的转化率,在将未反应的化合物与生成物分离后,再用于氧化反应的碳-碳双键的氧化方法,及使用该氧化方法的氧化化合物的制造方法。由此,可以高选择性和高生产率来获得作为目标的氧化化合物。 | ||
搜索关键词: | 双键 氧化 方法 化合物 制造 | ||
【主权项】:
1.一种化合物A的碳-碳双键的氧化方法,是将至少具有两个或其以上官能团的化合物,该官能团中的至少一个为碳-碳双键的化合物(以下简称为“化合物A”)的碳-碳双键进行氧化的方法,该氧化方法包含以下第一工序~第三工序,第一工序:在钛硅酸盐催化剂存在下,使用过氧化物作为氧化剂,在化合物A的转换率在小于等于50%mol的范围内进行化合物A的碳-碳双键的氧化反应,来获得氧化反应混合物的工序;第二工序:从第一工序所得到的氧化反应混合物中分离化合物A的工序;第三工序:将在第二工序中得到的化合物A返回到第一工序的工序。
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