[发明专利]防止钨插塞腐蚀的方法有效
| 申请号： | 03100239.0 | 申请日： | 2003-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1516262A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 游宗龙;马思尊;张国华 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在半导体元件的制作工艺中防止钨插塞腐蚀的方法，其中在基底上已形成有钨插塞，且钨插塞与形成在基底上的导线耦接。然后，利用除电装置处理基底，以除去在导线蚀刻制作工艺中累积在导线表面上的电荷。之后，进行一湿式清洁步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 钨插塞 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种防止钨插塞腐蚀的方法，其特征在于：该方法包括：提供形成于一基底中的一钨插塞，该钨插塞与该基底上的一导线耦接；利用一除电装置处理该基底；以及进行一湿式清洁步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
