[发明专利]沉积室的部件结构有效
| 申请号： | 03100265.X | 申请日： | 2003-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1516237A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 彭俊宁 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/66;C23C16/00;C23C14/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种沉积室的部件结构，具有一外壳、位于外壳内的一压环以及一螺杆，这个螺杆穿过外壳接触压环，用以释放压环所累积的电荷。此外，外壳还包括一绝缘部份环绕螺杆，以隔绝螺杆与外壳，其中螺杆的可允许的角度变化大于23.2。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 部件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种沉积室的部件结构，适于固定一晶片，其特征是，该结构至少包括：一外壳；一压环，位于该外壳上；一螺杆，穿过该外壳接触该压环，其释放累积于该压环中的电荷；以及一绝缘部份，环绕该螺杆且与该外壳相连，以隔绝该螺杆与该外壳，其中该螺杆可允许的角度变化大于23.2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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