[发明专利]位线的形成方法

摘要

本发明提供一种位线的形成方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上具有一晶体管，晶体管具有一闸极及一源汲极区；在半导体基底上形成一第一介电层，第一介电层具有一第一开口，第一开口露出源汲极区表面；在第一开口形成一导电层；在第一介电层及导电层表面上形成一阻障层；在阻障层上形成一第二介电层，第二介电层具有一第二开口及一第三开口，第二开口形成于对应第一开口的阻障层上；及在第二开口及第三开口形成一金属层，用以作为一位线。

主权项

1.一种位线的形成方法，其特征在于包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底上具有一晶体管，该晶体管具有一闸极及一源汲极区；在该半导体基底上形成一第一介电层，该第一介电层具有一第一开口，该第一开口露出该源汲极区表面；在该第一开口形成一导电层；在该第一介电层及该导电层表面上形成一阻障层；在该阻障层上形成一第二介电层，该第二介电层具有一第二开口及一第三开口，该第二开口形成于对应该第一开口的该阻障层上；及在该第二开口及该第三开口形成一金属层，用以作为一位线。