[发明专利]应用于集成电路的图案化的方法有效
申请号: | 03100364.8 | 申请日: | 2003-01-13 |
公开(公告)号: | CN1518064A | 公开(公告)日: | 2004-08-04 |
发明(设计)人: | 钟维民 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种应用于集成电路的图案化的方法,此方法首先在一基底上形成一材料层,并且在材料层上形成图案化的一光阻层,其中此光阻层的厚度足够薄,而能克服微影工艺的限制。接着在光阻层表面形成一衬套层,其中此衬套层的高度为其位于光阻层侧壁的厚度。之后对衬套层进行一处理步骤,以移除位于光阻层侧壁的衬套层。然后进行一蚀刻工艺,以图案化材料层。在本发明中,由于光阻层的厚度足够薄,因而可以克服微影工艺的限制,再加上图案化材料层时是利用衬套层作为蚀刻罩幕,而并非使用光阻层来作为蚀刻罩幕,因此仍可以使材料层顺利的被图案化。 | ||
搜索关键词: | 应用于 集成电路 图案 方法 | ||
【主权项】:
1.一种应用于集成电路的图案化的方法,其特征是,该方法包括:在一基底上形成一材料层;在该材料层上形成图案化的一光阻层;在该光阻层上形成一衬套层,其中该衬套层的高度大于该衬套层位于该光阻层侧壁的厚度;对该衬套层进行一处理步骤,以移除位于该光阻层侧壁的该衬套层;以及利用该衬套层作为一蚀刻罩幕而进行一蚀刻工艺,以图案化该材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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