[发明专利]半导体晶片表面保护粘结膜及使用其的半导体晶片加工方法有效
| 申请号： | 03100405.9 | 申请日： | 2003-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1431682A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 福本英树;小清水孝信;片冈真;才本芳久 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使将半导体晶片厚度薄层化到150微米以下，也能防止晶片翘曲，能在晶片不破损的条件下容易将其剥离的半导体晶片表面保护用粘结膜。一种半导体晶片表面保护用粘结膜，是在基材膜一个表面上形成有粘结剂层的半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于其中所说的基材膜至少含有一层具有下记要件A、要件B或要件C中至少一个要件的层。要件A：18～50℃全温度范围内储藏弹性模数为1×109～1×1010Pa的高弹性模数特性(A)；要件B：50～90℃范围内至少部分温度区域储藏弹性模数处于1×108Pa以下的高弹性模数特性(B)；要件C：23℃和90％RH下经过4小时吸水后的尺寸变化率为0.05～5％的吸收膨胀性高弹性模数特性(C)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 保护 粘结 使用 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片表面保护用粘结膜，是在基材膜一个表面上形成有粘结剂层的半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于其中所说的基材膜具有要件A、要件B或要件C中至少一个要件：要件A：50℃下膜硬挺度值处于0.08～1.50N范围内的高刚性特性(A)；要件B：90℃下膜硬挺度值小于50℃下膜硬挺度值的三分之一的特性(B)；要件C：23℃和90％RH下经过4小时吸水后的尺寸变化率为0.05～0.5％的吸收膨胀性高弹性模数特性(C)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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