[发明专利]裂开材料晶片各层的工艺有效
| 申请号： | 03100518.7 | 申请日： | 2003-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1433056A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | W·施瓦岑巴赫;C·马勒维尔 | 申请（专利权）人： | 绝缘体硅片技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沿晶片两层间的脆化面将晶片两层裂开的工艺，这一工艺包括一个热退火过程，目的是裂开包含所述层的晶片，其特征是：所述晶片在退火过程中按基本水平的方向排列。本发明还涉及这种工艺的应用和相关装置。 | ||
| 搜索关键词： | 裂开 材料 晶片 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于沿晶片两层间的脆化面将晶片两层裂开的工艺，这一工艺包括一个热退火过程，目的是裂开包括所述层的晶片，其特征是：所述晶片在退火过程中按基本上水平的方向排列。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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