[发明专利]一种多波长光存储介质及其制备方法与专用生产原料无效
| 申请号： | 03100547.0 | 申请日： | 2003-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1517344A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张复实;蒲守智;郭浩波;孙梵;刘学东;唐应武 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C07D333/06 | 分类号： | C07D333/06;C07D333/16;C07D409/04;G11B7/24 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多波长光存储材料及其制备方法与专用生产原料，生产原料为二芳基乙烯类光致变色化合物，是如下三类化合物中至少两种的混合物：(1)与532nm激光器相匹配的二芳基乙烯类化合物；(2)与650nm激光器相匹配的二芳基乙烯类化合物；(3)与780nm激光器相匹配的二芳基乙烯类化合物。同时，本发明公开了用于多波长光存储的非晶态膜片和光盘并提供了它们的制备方法。利用本发明的方法，创造性地实现了三波长光信息存储。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波长 存储 介质 及其 制备 方法 专用 生产 原料 | ||
【主权项】：
1、制备多波长光存储介质的原料，选自通式(I)、(II)和(III)化合物中的至少两种：1)通式I化合物：(式I)其中R为如下一些基团：2)通式II化合物：其中R为如下一些基团：3)通式III化合物：其中R1和R2为如下一些基团：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03100547.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：越桔花青素的提取方法
- 下一篇：全息光存储膜片及其制备方法与专用生产原料
