[发明专利]一种多阶光存储介质及其制备方法与专用生产原料无效
| 申请号： | 03100552.7 | 申请日： | 2003-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1517346A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张复实;蒲守智;刘学东;周新红;赵福群 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C07D333/06 | 分类号： | C07D333/06;C07D333/16;C07D333/20;C07D409/04;G11B7/24 |
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| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多阶光存储介质及其制备方法与专用生产原料。一种用于多阶光存储的介质，可以是非晶态膜片，也可以是光盘。本发明首次利用二芳基乙烯类光子型记录材料作为多阶存储介质，并在非晶态膜片上成功实现了8阶光信息存储和在光盘上进行了4阶存储。其中R为如上一些基团。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多阶光 存储 介质 及其 制备 方法 专用 生产 原料 | ||
【主权项】：
1、通式(I)化合物：![]()
其中R选自如下基团：-CHO-、![]()
-N(CH3)2、-OCH2CH3、![]()
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