[发明专利]感应耦合型等离子体刻蚀装置中使用的气体扩散板无效
| 申请号： | 03100757.0 | 申请日： | 2003-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1437224A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 金洪习;高富珍 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/465;C23F1/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,程伟 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种气体扩散板，其可供应工艺气体至一个感应耦合型等离子体(ICP，InductivelyCoupledPlasma)刻蚀装置的反应室中。该气体扩散板包含：一个多孔板，该多孔板包含多个小球且经过挤压并紧密接合该多个小球而形成，该多孔板具有一圆形平面的形状；多个个形成于该多孔板上表面上的气流沟槽；一个气体分散板，其底部具有多个进气孔且其侧边部分具有多个进气通道，该气体分散板围绕在该多孔板的底部与侧边部分。 | ||
| 搜索关键词： | 感应 耦合 等离子体 刻蚀 装置 使用 气体 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种气体扩散板，其可供应工艺气体至一个感应耦合型等离子体(ICP，InductivelyCoupledPlasma)刻蚀装置的反应室中，其特征在于：该气体扩散板包括：一个多孔板，包含多个小球且经过挤压并紧密接合该多个小球而形成，该多孔板具有一圆形平面的形状；多个气流沟槽，形成于该多孔板的上表面上；一个气体分散板，其底部具有多个进气孔且其侧边部分具有多个进气通道，该气体分散板围绕在该多孔板的底部与侧边部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
