[发明专利]利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法无效
| 申请号： | 03100823.2 | 申请日： | 2003-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1438682A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 黎明;杨胜齐;黄如;何进;张兴;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京华一君联专利事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法，先在硅片上热氧化形成注入掩蔽氧化层，然后联合注入氢气和氦气，再在高温条件下退火形成空洞层；去掉掩蔽氧化层，然后在空洞层之上的硅膜上采用常规CMOS工艺制备出场效应晶体管。本发明提出的方法将材料制备和电路制造有机地结合起来，相比较SOI技术有效地缩短了工艺流程，降低了成本；本发明的方法和传统的CMOS工艺完全兼容，具有极大的可行性。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 联合 注入 制备 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法，其特征是先在硅片上热氧化形成注入掩蔽氧化层，然后联合注入氢气和氦气，再在高温条件下退火形成空洞层；去掉掩蔽氧化层，然后在空洞层之上的硅膜上采用常规CMOS工艺制备出场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
