[发明专利]用于数据存储应用的改进的电子发射器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03101079.2 | 申请日： | 2003-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1433010A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | H·比雷基;V·T·宾;S·－T·林;H·P·郭;S·L·纳伯惠斯 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11B9/10 | 分类号： | G11B9/10;G11C11/42;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 崔幼平,黄力行 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于超高密度存储系统中的场发射器件(100)。发射器件(100)包括发射电极(112)，提取电极(120)，利用肖特基金属－半导体结或势垒(114，116)的场控制固态发射器。势垒(114，116)形成在发射电极(112)上，和该提取电极(120)电气相连，在发射电极(112)和提取电极(120)之间施加电位时，从半导体层(116)的暴露表面产生电子场发射。肖特基金属(114)从铂、金、银的层或者导电的半导体层中选择，这些层在势垒处能够提供大的电子池。置于肖特基金属上的半导体层(116)是具有非常弱的导电性的n型，具有宽带隙，在施加电子发射所需的电场时产生有助于感生负的电子亲和性的状态。一种类型的宽带隙材料从二氧化钛或氮化钛或者其它相当的材料中选择。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 数据 存储 应用 改进 电子 发射 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射器件，包括：发射电极；提取电极；以及场控制的固态发射器，其具有肖特基金属-半导体结，该肖特基金属-半导体结被制造在该发射电极上并和该提取电极电气相连，使得在发射电极和提取电极之间设置的电位引起从肖特基金属-半导体势垒的半导体层的暴露的表面产生电子的场发射。
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