[发明专利]具有改进的发射区域的平面电子发射器装置及其制造方法

摘要

本发明披露了一种场发射平面电子发射器件(100)，其具有发射电极(112)，提取电极(120)，以及和该发射电极、提取电极电连接的平面发射器电子发射层(214)。该平面电子发射器(214)的构型使得优先于其外部区域的电子发射而偏重其中心区域的电子发射。实现该偏重的一个例子通过这样制造平面发射器电子发射层来实现，使得该平面发射器电子发射层具有沿深度方向比其内部(216b)较厚的外周边(216a)，当在发射电极和提取电极之间施加电场时，这减少了在外周边的电子发射。在内部区域比在外周边区域，电场以较高的速率从平面发射器电子发射层的表面朝向提取电极汲取电子。该平面发射器件(100)还包括和该平面电子发射器(216)电连接的聚集电极(124)。

主权项

1.一种平面电子发射器件，该平面电子发射器件包括：发射电极；提取电极；以及场控制的固态电子发射器，其具有肖特基金属-半导体结，该肖特基金属-半导体结被制造在该发射电极上并和该提取电极电气相连，使得在发射电极和提取电极之间设置的电位引起从肖特基金属-半导体结的暴露的表面产生电子的场发射，其中该肖特基金属-半导体结的半导体层包括在深度上比半导体层的内部更厚的外周边部分，借以减少外周边部分的电子束发射，其中在发射电极和提取电极之间施加的电场在内部比在外周边部分以更高的速率从该平面电子发射器的表面朝向该提取电极汲取发射的电子。