[发明专利]后段晶圆级封装的焊锡凸块图案制作方法无效
| 申请号： | 03101418.6 | 申请日： | 2003-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1516240A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 谢文乐;黄富裕;黄宁;陈慧萍;吕淑婉;吴柘松;蔡智宇;陈美华;吕佳玲;王郁茹;黄昱淳;刘姿伶;翁文聪;曾亚欣 | 申请（专利权）人： | 华泰电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李树明 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种后段晶圆级封装的焊锡凸块图案制作方法，其包括如下步骤：于晶圆上的焊锡凸块预备置放的焊垫介电层图蚀刻形成后，先沉积全面的凸块下金属层，之后在焊垫上方使用一定厚度的光阻产生开口；再将此晶圆置于一真空系统及加热系统中，使焊剂或锡膏处于熔融状态而具流动性，并在此条件中于晶圆上的凸块下金属上的光阻开口位置形成焊锡凸块图案。本发明可配合真空及加热系统，消除气泡的产生机会，可使整个制程的良品率与效率大为提高。 | ||
| 搜索关键词： | 后段 晶圆级 封装 焊锡 图案 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种后段晶圆级封装的焊锡凸块图案制作方法，其特征在于：其包括如下步骤：(1)于晶圆上的焊锡凸块预备置放的焊垫介电层图蚀刻形成后，先沉积全面的凸块下金属层，之后在焊垫上方使用一定厚度的光阻产生开口；(2)将此晶圆置于一真空系统及加热系统中，使焊剂或锡膏处于熔融状态而具流动性，并在此条件中于晶圆上的凸块下金属上的光阻开口位置形成焊锡凸块图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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