[发明专利]芯片比例封装及其制造方法无效
申请号: | 03101448.8 | 申请日: | 2003-01-09 |
公开(公告)号: | CN1445846A | 公开(公告)日: | 2003-10-01 |
发明(设计)人: | 尹畯皓;崔龙七;裴锡洙 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/522;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谢丽娜,谷惠敏 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种芯片比例封装以及制造该芯片比例封装的方法。芯片比例封装包括形成在绝缘层上并通过指定距离使彼此分开以便连接到两个端子的每一个上的第一和第二导电层,形成在芯片的第二表面上以便连接到芯片的第二表面的端子的第三导电层,以及形成在第一、第二和第三导电层的每个指定侧面上的电极面。在总的封装尺寸方面小型化芯片比例封装。另外,制造芯片比例封装的方法不需要引线接合步骤或通孔形成步骤,从而简化芯片比例封装的制造过程并提高芯片比例封装的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 芯片 比例 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种芯片比例封装,包括:芯片,包括具有两个第一端子的第一表面以及具有第二端子的第二表面,第二表面与第一表面相对;绝缘层,形成在除用于两个端子的区域以外的芯片的第一表面上;第一和第二导电层,形成在绝缘层上并按指定距离使彼此分开以便连接到两个端子的每一个上;第三导电层,形成在芯片的第二表面上以便连接到芯片的第二表面的端子上;以及电极面,形成在第一、第二和第三导电层的每个指定侧面上。
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