[发明专利]一种激光再结晶的方法有效
| 申请号： | 03101581.6 | 申请日： | 2003-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1517455A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张茂益 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/02 | 分类号： | C30B28/02;C30B33/02;H01L21/08;H01L21/70;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 贾静环;宋莉 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明先于基底之上形成至少一非晶硅岛，然后依序进行第一阶段以及第二阶段的激光再结晶制程，即先利用具有第一能量密度的激光脉冲照射该非晶硅岛，以使该非晶硅岛的边缘部分再结晶成为多晶硅结构，接着再利用具有第二能量密度的激光脉冲照射该非晶硅岛，以使该非晶硅岛的中央部分再结晶成为多晶硅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 再结晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光再结晶的方法，该方法包括下列步骤：提供基底；在该基底之上形成至少一非晶硅岛；进行第一阶段的激光再结晶制程，利用具有第一能量密度的激光脉冲照射该非晶硅岛，以使该非晶硅岛的边缘部分再结晶成为侧向成长多晶硅结构；以及进行第二阶段的激光再结晶制程，利用具有第二能量密度的激光脉冲照射该非晶硅岛，以使该非晶硅岛的中央部分再结晶成为多晶硅结构。
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