[发明专利]在半导体器件中形成接触插塞的方法无效
| 申请号： | 03101730.4 | 申请日： | 2003-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1448992A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 郑又硕 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在半导体器件中形成接触插塞的方法，其即使在接触尺寸变小且台阶覆盖性降低的情况下也能防止接触电阻的增加、并能抑制接触电阻均匀性的降低。本发明方法包括步骤：通过蚀刻衬底上的绝缘层形成接触孔；在接触孔中的衬底上形成具有第一掺杂浓度的第一硅膜，使得接触孔被部分填充；使掺杂气体在第一硅膜的表面上冲刷；以及在第一硅膜上形成具有比第一掺杂浓度高的第二掺杂浓度的第二硅膜，直至填充该接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件中形成接触插塞的方法，包括步骤：通过蚀刻衬底上的绝缘层形成接触孔；在接触孔中的衬底上形成具有第一掺杂浓度的第一硅膜，使得接触孔被部分填充；使掺杂气体在第一硅膜的表面上冲刷；以及在第一硅膜上形成具有比第一掺杂浓度高的第二掺杂浓度的第二硅膜，直至填充该接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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