[发明专利]具缓冲层结构的有机发光二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 03102044.5 申请日: 2003-01-27
公开(公告)号: CN1521870A 公开(公告)日: 2004-08-18
发明(设计)人: 柯崇文 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40;H01L51/20;H01L33/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李强
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种具缓冲层结构的有机发光二极管及其制作方法揭露于此。首先,形成阳极电极于基板上。接著依序形成有机发光层、电子注入阴极层、阴极缓冲层,最后形成透明阴极于阴极缓冲层上。其中,阴极缓冲层是使用金属材料制作,以便在上述形成透明阴极时有效的保护有机发光层。
搜索关键词: 缓冲 结构 有机 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
1、一种有机发光二极管的制作方法,其特征在于该方法至少包含下列步骤:形成一阳极电极在一基板上;形成一有机发光层在该阳极电极上;形成一电子注入阴极层在该有机发光层上;形成一阴极缓冲层在该电子注入阴极层上,用以保护该有机发光层;以及形成一透明阴极在该阴极缓冲层上;其中,该阴极缓冲层是使用金属材料制作,以便在上述形成该透明阴极时保护该有机发光层。
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