[发明专利]具缓冲层结构的有机发光二极管及其制作方法有效
申请号: | 03102044.5 | 申请日: | 2003-01-27 |
公开(公告)号: | CN1521870A | 公开(公告)日: | 2004-08-18 |
发明(设计)人: | 柯崇文 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/20;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李强 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具缓冲层结构的有机发光二极管及其制作方法揭露于此。首先,形成阳极电极于基板上。接著依序形成有机发光层、电子注入阴极层、阴极缓冲层,最后形成透明阴极于阴极缓冲层上。其中,阴极缓冲层是使用金属材料制作,以便在上述形成透明阴极时有效的保护有机发光层。 | ||
搜索关键词: | 缓冲 结构 有机 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种有机发光二极管的制作方法,其特征在于该方法至少包含下列步骤:形成一阳极电极在一基板上;形成一有机发光层在该阳极电极上;形成一电子注入阴极层在该有机发光层上;形成一阴极缓冲层在该电子注入阴极层上,用以保护该有机发光层;以及形成一透明阴极在该阴极缓冲层上;其中,该阴极缓冲层是使用金属材料制作,以便在上述形成该透明阴极时保护该有机发光层。
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