[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 03102090.9 | 申请日： | 2003-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1435896A | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 宫野清孝;大内和也;水岛一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红,段承恩 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能在低温在扩散层上形成可充分地使用于升高的源漏技术的单晶层的半导体装置的制造方法。提供具备膜厚、膜质均匀的硅化物层的、将扩散层与电极的接触电阻维持得较低的、可进一步实现微细化的半导体装置。本发明的半导体装置的制造方法具备下述步骤：在半导体衬底10的表面12上形成栅绝缘膜20、在栅绝缘膜上形成栅电极60的步骤；在栅电极的两侧形成扩散层70、72的步骤；在扩散层上形成非晶质层100的步骤；通过半导体衬底的表面与非晶质层的边界向半导体衬底离子注入惰性物质的步骤；在低温对半导体衬底进行热处理、使非晶质层的一部分成为硅单晶层120的步骤；以及通过在单晶上溅射金属由单晶和金属来形成硅化物层130的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体衬底；在该半导体衬底的表面上形成的栅绝缘膜；在该栅绝缘膜上形成的栅电极；在上述半导体衬底上形成的成为源层和漏层的扩散层；以及在上述扩散层的上方形成的硅化物层，其特征在于：在与该半导体装置的表面垂直的剖面中，氧的浓度为最大的氧浓度峰值处于上述半导体衬底的表面之下。
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