[发明专利]缺陷检测参数分析方法无效
申请号: | 03102093.3 | 申请日: | 2003-01-29 |
公开(公告)号: | CN1521822A | 公开(公告)日: | 2004-08-18 |
发明(设计)人: | 戴鸿恩;罗皓觉 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戈泊;程伟 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种缺陷检测参数分析方法,用以分析多批分别具有一个批号的产品,每批产品经过多个机台所制得,而每批产品中一片或以上的晶圆至少经过一个缺陷检测项目的检测,以产生一个缺陷检测参数值,此缺陷检测项目及其参数值以及与此缺陷检测项目相关的一个制程站别储存于一个数据库中,本方法包括步骤:搜寻数据库以取得多批产品的缺陷检测参数值;依据缺陷检测参数值将多批产品区分为至少一个合格产品组及一个不合格产品组;从数据库中搜寻与缺陷检测项目相关的制程站别;搜寻合格产品组在制程站别所经过的机台;搜寻不合格产品组在制程站别所经过的机台;判断不合格产品组经过机率高于合格产品组经过机率的机台。 | ||
搜索关键词: | 缺陷 检测 参数 分析 方法 | ||
【主权项】:
1、一种缺陷检测参数分析方法,用以分析多批分别具有一个批号的产品,该多批产品经过多个机台所制得,而每批产品中的一片或以上的晶圆至少经过一个缺陷检测项目的检测以产生一个缺陷检测参数值,该缺陷检测项目及与该缺陷检测项目相关的一个制程站别储存于一个数据库中,该数据库还储存有该缺陷检测参数值,其特征在于,该方法包含:搜寻该数据库以取得该多批产品的缺陷检测参数值;依据该缺陷检测参数值将该多批产品区分为至少两个产品组,这些产品组包含一个合格产品组及一个不合格产品组;从该数据库中搜寻与该缺陷检测项目相关的该制程站别;搜寻该合格产品组在该制程站别所经过的机台;搜寻该不合格产品组在该制程站别所经过的机台;以及判断该不合格产品组经过机率高于该合格产品组经过机率的机台。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造