[发明专利]固体有机金属化合物用填充容器和其填充方法有效
| 申请号： | 03102112.3 | 申请日： | 2003-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1437219A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 富安静夫;德留功一;羽贺健一 | 申请（专利权）人： | 东曹精细化工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/285;C23C16/18 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 韩登营 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种可以长时间以一定浓度稳定地向MOCVD装置等气相外延生长用装置供应固体有机金属化合物的新型填充容器。这种固体有机金属化合物用填充容器具有载气导入口(2)和载气排出口(3)，其特征在于该容器具有以下结构：填充容器内部被分为多个纵向空间，利用载气流通方向反转装置(6)，使从载气导入口(2)导入的载气作为向下的气流流通过各纵向空间，并从载气排出口(3)排出。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 有机 金属 化合物 填充 容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种固体有机金属化合物用填充容器，具有载气导入口和载气排出口，其特征在于具有以下结构：填充容器内部被分为多个纵向空间，利用载气流通方向反转装置，使从载气导入口导入的载气作为向下的气流流通过各纵向空间，并从载气排出口排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
