[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03102167.0 | 申请日： | 2003-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1435892A | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 仲井淳一 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;G02B5/20;G02B3/00;H04N5/335;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,梁永 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：一个有受光或发光元件的半导体衬底；在所述元件上提供的一个聚光透镜；在所述聚光透镜上提供的第一透明层平面化覆盖聚光透镜；在所述第一透明层上提供的可传光的光学元件；位于所述第一透明层和所述光学元件中间的第二透明层；其中所述第一透明层由含氟化合物构成以使其折射率低于所述聚光透镜的折射率，并且所述第二透明层具有比所述第一透明层低的防水防油性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：有受光或发光元件的半导体衬底；上述元件上配备的聚光透镜；在聚光透镜上配备的第一透明层平面化覆盖聚光透镜，在第一透明层上形成的可传光的光学元件；和插入第一透明层和光学元件之间的第二透明层；其中第一透明层由含氟化合物构成，使得第一透明层具有低于聚光透镜的折射率，并且第二透明层具有低于第一透明层的防水防油性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普公司，未经夏普公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03102167.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体显示装置及其制造方法
- 下一篇：高频信号传输装置及使用它的电子调谐器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
