[发明专利]磁传感器无效
| 申请号： | 03102236.7 | 申请日： | 2003-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1494060A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 新谷拓;渡边克朗;幡谷昌彦;楠川喜久雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人： | 熊志诚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是关于重放磁记录信息的磁传感器及其制造方法，以及搭载该传感器的磁记录重放装置。其目的是抑制巴克豪森噪音的发生。它是在纵向偏磁施加层和上部磁屏蔽层之间，或者，纵向偏磁施加层、上部磁屏蔽层和磁阻效应膜之间，插入至少含有非磁性金属层的隔离层，使纵向偏磁施加层和磁阻效应膜的自由层最短距离，大于纵向偏磁施加层和上部磁屏蔽层间的最短距离。由此，由纵向偏磁施加层进行磁阻效应膜的自由层中的磁通量大于被上部磁屏蔽层吸收的磁通量，从而可获得能抑制巴克豪森噪音的磁传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种磁传感器，在具有由下部磁屏蔽层和上部磁屏蔽层形成的一对磁屏蔽层、配置在上述一对磁屏蔽层之间的、具有自由层、中间层和固定层的叠层结构的磁阻效应膜、和配置在上述磁阻效应膜的磁道宽度方向两端处的一对纵向偏磁施加层的，使电流在上述磁阻效应膜的膜厚方向上流动的磁传感器中，其特征在于：在上述上部磁屏蔽层和上述纵向偏磁施加层之间具有至少含有非磁性金属层的隔离层，上述纵向偏磁施加层和上述磁阻效应膜的自由层的最短距离比上述纵向偏磁施加层和上述上部磁屏蔽层的最短距离更短。
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