[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法有效
申请号: | 03102284.7 | 申请日: | 2003-01-28 |
公开(公告)号: | CN1435897A | 公开(公告)日: | 2003-08-13 |
发明(设计)人: | 矶部敦生;山崎舜平;小久保千穗;田中幸一郎;下村明久;荒尾达也;宫入秀和 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/00;G02F1/136 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳,梁永 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置,其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上,其可以高速运转,其具有高的电流驱动性能,且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括:在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜;在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜;通过融化半导体膜,将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中,并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜;除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:形成于绝缘表面之上的结晶半导体膜,接触一对一种导电类型的杂质区,具有至少两个晶体取向并具有在平行于沟道长度方向的方向延伸而不形成晶粒边界的至少两个晶粒,其中结晶半导体膜在与结晶半导体膜厚度一样深的开口中。
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