[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法和磁存储装置无效
| 申请号： | 03102352.5 | 申请日： | 2003-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1467708A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 棚桥究;菊川敦;高桥由夫;细江让 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11B5/667 | 分类号： | G11B5/667 |
| 代理公司： | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人： | 熊志诚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及垂直磁记录介质及其制造方法和磁存储装置，特别是关于每1平方英寸具有50吉比特以上面记录密度的高介质S/N的垂直磁记录介质及其制造方法，和组装了该磁记录介质的磁存储装置。通过软磁性底层在底板上形成垂直记录层，其构成含有利用非磁性层使软磁性底层形成物理分离的数层软磁性层，该软磁性层由纳诺结晶构成，进一步在通过非磁性层邻接的软磁性层的层间形成局部的磁化闭环，可抑制住软磁性底层引起的尖峰脉冲噪音和再生信号的调制。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 及其 制造 方法 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种垂直磁性记录介质，通过软磁性底层(soft magnetic underlayer)在底板(substrate)上形成垂直记录层(perpendicular recording layer)的垂直磁记录介质中，其特征是：从上述垂直磁记录介质的断面的法线方向上，向该断面入射电子线(electron beam)，在观察的透过电子显微镜(transmission electronmicroscopy)像中，确认有由纳诺结晶(nanocrystals)构成的数层软磁性层(soft magnetic layer)，和物理分离该软磁性层的非磁性层(non-magneticlayer)，进而在上述透过电子显微镜像和同视野的电子线衍射图案(electron diffraction pattern)中，确认有体心立方构造(body-centeredcubic(bcc)structure)的110、200、211衍射环(diffraction rings)。
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