[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法无效
| 申请号： | 03102394.0 | 申请日： | 2003-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1438679A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 田井中靖;园部泰夫;河路干规 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能缩短半导体集成电路器件的TAT的半导体集成电路器件的制造方法。在标准掩模中，采用在半色调膜11上形成了开口的多个开口图形12a之内，用对曝光光具有遮光性的感电子束光刻胶膜13a把不使用的开口图形12a覆盖起来，使要使用的开口图形12a从该感电子束光刻胶膜13a中露出来选择性地剩下来的办法，制作与所希望的半导体集成电路器件的电路图形对应的半色调型的相移掩模构成的掩模MHR。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，具有如下步骤：准备在半色调膜上形成了多个开口图形的第1掩模的步骤，上述半色调膜淀积在掩模基板上并具有使透过光的相位进行反转的功能；在上述第1掩模上，制作由对曝光光具有遮光性的光刻胶膜构成，具有上述第1掩模的多个开口图形之内的所希望的开口图形及其外围一部分的上述半色调膜露出来，除此之外的开口图形被覆盖起来那样地形成的光刻胶图形的第2掩模的步骤；利用使用上述第2掩模的缩小投影曝光处理装置把所希望的图形复制到晶片上的光刻胶膜上的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所，未经株式会社日立制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03102394.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于机动车交流发电机的滑环装置
- 下一篇：电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
