[发明专利]镜头内藏型图象传感器的制造方法无效

专利信息
申请号: 03102638.9 申请日: 2003-02-14
公开(公告)号: CN1484296A 公开(公告)日: 2004-03-24
发明(设计)人: 卞圣喆 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L27/14;H04N5/335
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈红;楼仙英
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供一种在半导体装置的制造工序中,制作图象传感器器件,不另外制作安装镜头模块,直接在器件上安装镜头来制成镜头内藏型图象传感器的方法。该制作方法包括:在基板上蒸涂金属布线、绝缘膜和最上金属层;仅除去处于像素阵列的外周缘的最上金属层,并在最上金属层上蒸涂保护膜;蒸涂保护膜并进行滤色工序后,进行对衬垫金属端子开孔的掩膜工序,使保护膜的两端之间的最上金属层露出来;在最上金属层上蒸涂钛膜和金属膜;在金属膜上对形成金属凸块的部分开孔后,利用电镀方式生长金属凸块;除去电镀生长成的金属凸块下部的金属膜和钛膜;形成与器件的像素阵列对准的镜头;利用对准标记把上述镜头与上述器件连结起来。
搜索关键词: 镜头 内藏 图象 传感器 制造 方法
【主权项】:
1.一种镜头内藏型图象传感器的制造方法,其特征在于包含如下工序:在像素阵列部和CMOS逻辑部集成于一片芯片的图象传感器中,在基板上蒸涂金属布线和绝缘膜以及最上金属层;把上述最上金属层仅残留在像素阵列的周边,再把保护膜蒸涂在上述最上金属层上;蒸涂上述保护膜并进行了滤色工序之后,进行对垫片金属端子开孔的掩膜工序,使保护膜的两端之间露出最上金属层;在上述最上金属层的上面蒸涂钛膜和金属膜;在上述金属膜上形成金属凸块的部分作成开孔后,利用电镀方式生长出金属凸块;除去以电镀方式生长的金属凸块的下部的金属膜和钛膜;形成对准上述器件的像素阵列的镜头;以及利用对准标记把上述器件和上述镜头连结起来。
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