[发明专利]镜头内藏型图象传感器的制造方法无效
申请号: | 03102638.9 | 申请日: | 2003-02-14 |
公开(公告)号: | CN1484296A | 公开(公告)日: | 2004-03-24 |
发明(设计)人: | 卞圣喆 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/14;H04N5/335 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈红;楼仙英 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种在半导体装置的制造工序中,制作图象传感器器件,不另外制作安装镜头模块,直接在器件上安装镜头来制成镜头内藏型图象传感器的方法。该制作方法包括:在基板上蒸涂金属布线、绝缘膜和最上金属层;仅除去处于像素阵列的外周缘的最上金属层,并在最上金属层上蒸涂保护膜;蒸涂保护膜并进行滤色工序后,进行对衬垫金属端子开孔的掩膜工序,使保护膜的两端之间的最上金属层露出来;在最上金属层上蒸涂钛膜和金属膜;在金属膜上对形成金属凸块的部分开孔后,利用电镀方式生长金属凸块;除去电镀生长成的金属凸块下部的金属膜和钛膜;形成与器件的像素阵列对准的镜头;利用对准标记把上述镜头与上述器件连结起来。 | ||
搜索关键词: | 镜头 内藏 图象 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种镜头内藏型图象传感器的制造方法,其特征在于包含如下工序:在像素阵列部和CMOS逻辑部集成于一片芯片的图象传感器中,在基板上蒸涂金属布线和绝缘膜以及最上金属层;把上述最上金属层仅残留在像素阵列的周边,再把保护膜蒸涂在上述最上金属层上;蒸涂上述保护膜并进行了滤色工序之后,进行对垫片金属端子开孔的掩膜工序,使保护膜的两端之间露出最上金属层;在上述最上金属层的上面蒸涂钛膜和金属膜;在上述金属膜上形成金属凸块的部分作成开孔后,利用电镀方式生长出金属凸块;除去以电镀方式生长的金属凸块的下部的金属膜和钛膜;形成对准上述器件的像素阵列的镜头;以及利用对准标记把上述器件和上述镜头连结起来。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03102638.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造