[发明专利]具有自行对准接触窗的存储器元件的制造方法及结构

摘要

一种具有自行对准接触窗的存储器元件的制造方法及结构，此方法是于形成闪存元件的控制栅极之后，在每一栅极结构的侧壁形成间隙壁，再于基底上形成另一介电层，覆盖控制栅极。随后，图案化此介电层以及位于控制栅极下方的介电层，以在两相邻的控制栅极之间形成一自行对准接触窗开口，暴露出基底中的位线。最后，再于自行对准接触窗开口中填入一导电材料。

主权项

1.一种具有自行对准接触窗的存储器元件的制造方法，其特征是，该方法包括：在一基底上形成多条第一堆栈层，每一该些第一堆栈层是由一栅介电层以及一导电层所构成；在每一该些第一堆栈层两侧的该基底中分别形成一位线；于该些第一堆栈层之间填入一第一介电层；以垂直于该些位线的方向图案化该些第一堆栈层之该些导电层，而形成多个浮置栅极；于该些浮置栅极之间填入一第二介电层；在相同一列的该些浮置栅极上形成一第二堆栈层，其中每一该些第二堆栈层是由一介电薄层、一控制栅极以及一顶盖层所构成；在每一该些第二堆栈层的侧壁形成一间隙壁；在该基底上形成一第三介电层，覆盖该些第二堆栈层；图案化该第三介电层与该第一介电层，以在其中两相邻的该些第二堆栈层之间形成一自行对准接触窗开口，暴露出对应的其中一该些位线；以及在该自行对准接触窗开口中填入一导电材料。